[M] GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrates by NH3 SourceMolecular Beam Epitaxy

著者: Ohshima, Naoki Sugihara, Akihiro Yoshida, Naoya Okabe, Naohiko 協力者・編者: Okamoto, Ｋ. Kita, Hidetoshi Nakayama, Noriaki Yamamoto, Setsuo Higa, Mitsuru Ohshima, Naoki Ioku, Koji Hashimo, Kazuhiko Schmidt, Helmu Ohtaki, Michitaka Terasaki, Ichiro Kajitani, Tsuyoshi Funahashi, Ryoji Akashi, Mitsuru Suda, Yasuo Aoyagi, Takao Taguchi, Takahisa Ohgushi, Hajime Tanaka, Junzo Yamashita, Kimihiro Kobayashi, Hisatoshi Miyahara, Yuji Taniguchi, Akiyoshi Otsuka, Hidenori (出版日: 2004)
https://hdl.handle.net/20.500.11932/1207549

資料: GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrates by NH3 SourceMolecular Beam Epitaxy

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作成時刻: 2023/07/31 14:43:03

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